职　　称：副教授
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社会兼职

获奖情况 （数据来源：科学技术处、社会科学处）

教学信息 （数据来源：教务处）

  • 微机原理与接口技术

科研信息 （数据来源：科学技术处、社会科学处）

  • 项目：
  • 1. 基于MeOx/碳基材料界面氧互迁移构筑自供电忆阻器件及其类脑信息存储研究，2022年
  • 论文：
  • 1. Thermal stable and low current complementary resistive switch with limited Cu source in amorphous carbon，APPLIED PHYSICS LETTERS，2022年
  • 2. Real-time numerical system convertor via two-dimensional WS2-based memristive device，FRONTIERS IN COMPUTATIONAL NEUROSCIENCE，2022年
  • 3. 基于果胶的阻变存储器件性能的优化，物理实验，2022年
  • 4. A Stacked Memristive Device Enabling Both Analog and Threshold Switching Behaviors for Artificial Leaky Integrate and Fire Neuron，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS，2022年
  • 5. Conductance Quantization in CH3NH3PbI3 Memristor，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS，2022年
  • 6. Photocatalysis-Induced Nanopores toward Highly Reliable Organic Electrochemical Metallization Memory，ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS，2022年
  • 7. 碳黑掺杂氧化石墨烯基阻变存储器的制备及其特性研究，物理实验，2022年
  • 8. Self-Powered Memristive Systems for Storage and Neuromorphic Computing，FRONTIERS IN NEUROSCIENCE，2021年
  • 9. Neutron irradiation-induced effects on the reliability performance of electrochemical metallization memory devices，JOURNAL OF SEMICONDUCTORS，2021年
  • 10. Reliable restriction of conductive filament in graphene oxide based RRAM devices enabled by a locally graphitized amorphous carbon layer，JPN J APPL PHYS，2020年
  • 11. Moisture-powered memristor with interfacial oxygen migration for power-free reading of multiple memory states，NANO ENERGY，2020年
  • 12. Analytical modeling of electrochemical metallization memory device with dual-layer structure of Ag/AgInSbTe/amorphous C/Pt，SEMICOND SCI TECH，2020年
  • 13. Nano-Graphite Clusters Regulation for Reliability Improvement of Amorphous Carbon-Based Resistive Random Access Memory，PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE，2019年
  • 14. Graphite Microislands Prepared for Reliability Improvement of Amorphous Carbon Based Resistive Switching Memory，PHYS STATUS SOLIDI-R，2018年
  • 15. Highly uniform switching of HfO2-x based RRAM achieved through Ar plasma treatment for low power and multilevel storage，APPL SURF SCI，2018年
  • 16. Improved Uniformity and Endurance Through Suppression of Filament Overgrowth in Electrochemical Metallization Memory With AgInSbTe Buffer Layer，IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY，2018年
  • 17. Interface State-Induced Negative Differential Resistance Observed in Hybrid Perovskite Resistive Switching Memory，ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES，2018年
  • 18. Improved switching reliability achieved in HfOx based RRAM with mountain-like surface-graphited carbon layer，APPL SURF SCI，2018年
  • 19. Improved resistive switching reliability by using dual-layer nanoporous carbon structure，APPL PHYS LETT，2017年
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