职　　称：副教授
研究方向：阻变材料与器件
办公电话：0431-85099666
办公地点：物理楼212
电子邮件：zhaoxn430@nenu.edu.cn

个人简历

赵晓宁，男，理学博士，副教授，博士生导师。主要从事忆阻材料与器件和电磁功能材料的基础研究工作，以第一或通讯作者在Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、Small、IEEE EDL、Appl. Phys. Lett.等国际期刊发表SCI论文30余篇，领域综述2篇，参编专著(章节)1部，申请/授权发明专利5项。2022-Wiley威立中国开放科学高贡献作者，中国物理学会会员，国际期刊《Materials》特刊主题编辑，多个国际SCI期刊审稿人。主持国家自然科学基金委青年基金、面上项目（2项）和吉林省重点研发课题，作为骨干参与多项研究课题。指导研究生多人次获得国家奖学金，东北师大校长奖学金，优秀毕业生等荣誉。 欢迎有志于从事科学研究工作的同学加入我们课题组！联系电子邮箱：zhaoxn430@nenu.edu.cn 招生专业：凝聚态物理、材料科学与工程。 教育工作经历: 2007.09-2011.06 大连理工大学 物理与光电工程学院, 光信息科学与技术, 学士 2011.09-2016.06 东北师范大学 物理学院, 凝聚态物理，博士，导师: 刘益春/徐海阳 2017.07-至今 东北师范大学 物理学院，师资博士后、副教授 近年来代表性研究论文： 1. Y. Wang, X. N. Zhao,* J. Q. Xu, X. H. Zhang, Y. Tao, Y. Lin, Z. Q. Wang,* H. Y. Xu,* Y. C. Liu, IEEE Electron Device Lett. 2022, 43, 1037-1040. 2. J. Q. Xu, X. N. Zhao,* X. L. Zhao, Z. Q. Wang, Q. X. Tang, H. Y. Xu,* Y. C. Liu, Small Sci. 2022, 2, 2200028. 3. Q. L. Tian, X. N. Zhao,* Y. Lin, Z. Q. Wang,* Y. Tao, H. Y. Xu,* Y. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 2022, 121, 18350. 4. X. N. Zhao,# J. Q. Xu,# D. Xie, Z. Q. Wang, H. Y. Xu,* Y. Lin, J. L. Hu, Y. C. Liu* Adv. Mater. 2021, 33, 2104023. 5. Q. L. Tian, X. H. Zhang, X. N. Zhao,* Z. Q. Wang,* Y. Lin, H. Y. Xu,* Y. C. Liu, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 308-311. 6. X. H. Zhang, X. N. Zhao,* X. Y. Shan, Q. L. Tian, Z. Q. Wang,* Y. Lin, H. Y. Xu,* Yichun Liu, ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 28555. 7. Q. L. Tian, X. N. Zhao,* X. H. Zhang, H. Lin, D. Wang, G. Z. Xing, Z. Q. Wang,* Y. Lin, H. Y. Xu, Y. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 2021, 119, 143505. 8. X. H. Zhang, X. N. Zhao,* Q. L. Tian, J. Y. Bian,Z. Q. Wang,* G. Z. Xing, Y. Lin, H. Y. Xu, Y. C. Liu, Semicond. Sci. Technol.2021, 36, 095012. 9. X. N. Zhao,# Z. Q. Wang,# W. T. Li, S. W. Sun, H. Y. Xu,* P. Zhou,* J. Q. Xu, Y. Lin, Y. C. Liu* Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 1910151. 10. X. N. Zhao, H. Y. Xu,* Z. Q. Wang, Y. C. Liu,* InfoMat. 2019,1,183. 11. J. Q. Xu, X. N. Zhao,* Z. Q. Wang, H. Y. Xu,* J. L. Hu, J. G. Ma, and Y. C. Liu, Small 2019, 15, 1970025. 12. X. N. Zhao, Z. Q. Wang,* Y. Lin, X. Y. Xu,* Y. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 2019,115, 073501. 13. X. N. Zhao,# Z. Q. Wang,# Y. Xie, H. Y. Xu,* J. X. Zhu, X. T. Zhang,W. Z. Liu, G. C. Yang, J. G. Ma, and Y. C. Liu,* Small 2018, 14, 1801325. 14. W. Wang, J. Q. Xu, H. L. Ma, X. N. Zhao,* Y. Lin,* C. Zhang, Z. Q. Wang,H. Y. Xu, Y. C. Liu, ACS Appl. Nano Mater. 2019, 2, 307. 15. X. N. Zhao, Z. Y. Fan, H. Y. Xu,* Z. Q. Wang,* J. Q. Xu, J. G. Ma, Y. C. Liu, J. Mater. Chem. C, 2018, 6, 7195. ...... 专著（章节） (1) X. N. Zhao，Z. Q. Wang, H. Y. Xu, Y. C. Liu, Two-terminal optoelectronic memory device， Chapter 4 in：Photo-electroactive non-volatile memories for data storage and neuromorphic computing, 2020 Ed. Elsevier: Oxford, pp 75-105. Editor: Y. Zhou & S.Han, 2020.

社会兼职

获奖情况 （数据来源：科学技术处、社会科学处）

教学信息 

  • 光电材料概论、近代物理实验、探索物理实验、材料物理实验、大学物理实验

科研信息 （数据来源：科学技术处、社会科学处）

  • 项目：
  • 1. 基于离子“配位效应”的氧化石墨基忆阻功能层及其神经信号驱动器件研究，2022年
  • 2. 面向电磁隐身应用的磁性复合碳纤维制备技术研究，2021年
  • 3. 基于光还原效应的氧化石墨/二氧化钛复合光电忆阻材料及其视觉仿生器件研究，2020年
  • 4. 基于非晶碳忆阻器的导电通道局域化方法研究，2018年
  • 5. 氧化石墨烯局域微结构调控及其忆阻特性研究，2018年
  • 6. 金属/碳纳米胶囊微结构调控及微波频段电致多重介电极化效应研究，2018年
  • 专著：
  • 1. Photo-Electroactive Nonvolatile Memories for Data Storage and Neuromorphic Computing，Elsevier，01-5年
  • 论文：
  • 1. Thermal stable and low current complementary resistive switch with limited Cu source in amorphous carbon，APPLIED PHYSICS LETTERS，2022年
  • 2. 碳量子点修饰对有机－无机杂化钙钛矿阻变性能的影响，物理实验，2022年
  • 3. Real-time numerical system convertor via two-dimensional WS2-based memristive device，FRONTIERS IN COMPUTATIONAL NEUROSCIENCE，2022年
  • 4. Flexible TiN/Co@Carbon nanofiber mats for high-performance electromagnetic interference shielding and Joule heating applications，CARBON，2022年
  • 5. Memristors with Biomaterials for Biorealistic Neuromorphic Applications，Small science，2022年
  • 6. A Stacked Memristive Device Enabling Both Analog and Threshold Switching Behaviors for Artificial Leaky Integrate and Fire Neuron，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS，2022年
  • 7. Conductance Quantization in CH3NH3PbI3 Memristor，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS，2022年
  • 8. 新工科背景下师范院校智能芯片与系统方向产教融合人才培养模式的探索，科教导刊，2022年
  • 9. Photocatalysis-Induced Nanopores toward Highly Reliable Organic Electrochemical Metallization Memory，ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS，2022年
  • 10. Pavlovian conditioning achieved via one-transistor/one-resistor memristive synapse，APPLIED PHYSICS LETTERS，2022年
  • 11. Plasmonic Optoelectronic Memristor Enabling Fully Light-Modulated Synaptic Plasticity for Neuromorphic Vision，ADVANCED SCIENCE，2022年
  • 12. Natural Acidic Polysaccharide-Based Memristors for Transient Electronics: Highly Controllable Quantized Conductance for Integrated Memory and Nonvolatile Logic Applications，ADVANCED MATERIALS，2021年
  • 13. Thermal-assisted electroforming enables performance improvement by suppressing the overshoot current in amorphous carbon-based electrochemical metallization memory，APPLIED PHYSICS LETTERS，2021年
  • 14. Rapid microwave annealing of CH3NH3PbI3 with controllable crystallization for enhancing the resistive-switching performance，SEMICOND SCI TECH，2021年
  • 15. High switching uniformity and 50 fJ/bit energy consumption achieved in amorphous silicon-based memristive device with an AgInSbTe buffer layer，APPL PHYS LETT，2021年
  • 16. Humidity Effect on Resistive Switching Characteristics of the CH3NH3PbI3 Memristor，ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES，2021年
  • 17. 基于果胶材料的阻变存储器离子缓冲层研究，物理实验，2021年
  • 18. Zeolite-Based Memristive Synapse with Ultralow Sub-10-fJ Energy Consumption for Neuromorphic Computation，SMALL，2021年
  • 19. Self-Powered Memristive Systems for Storage and Neuromorphic Computing，FRONTIERS IN NEUROSCIENCE，2021年
  • 20. Nitrogen-induced ultralow power switching in flexible ZnO-based memristor for artificial synaptic learning，APPL PHYS LETT，2021年
  • 21. Dual Buffer Layers for Developing Electrochemical Metallization Memory With Low Current and High Endurance，IEEE ELECTR DEVICE L，2021年
  • 22. Flexible and transparent memristive synapse based on polyvinylpyrrolidone/N-doped carbon quantum dot nanocomposites for neuromorphic computing，NANOSCALE ADVANCES，2021年
  • 23. Neutron irradiation-induced effects on the reliability performance of electrochemical metallization memory devices，JOURNAL OF SEMICONDUCTORS，2021年
  • 24. Voltage-dependent plasticity and image Boolean operations realized in a WO x -based memristive synapse，JOURNAL OF SEMICONDUCTORS，2021年
  • 25. Photoreduced nanocomposites of graphene oxide/N-doped carbon dots toward all-carbon memristive synapses，NPG ASIA MATERIALS，2020年
  • 26. Photo-tunable organic resistive random access memory based on PVP/N-doped carbon dot nanocomposites for encrypted image storage，JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C，2020年
  • 27. Silent Synapse Activation by Plasma-Induced Oxygen Vacancies in TiO2 Nanowire-Based Memristor，ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS，2020年
  • 28. Reduced Graphene Oxide Conformally Wrapped Silver Nanowire Networks for Flexible Transparent Heating and Electromagnetic Interference Shielding，ACS NANO，2020年
  • 29. Reliable restriction of conductive filament in graphene oxide based RRAM devices enabled by a locally graphitized amorphous carbon layer，JPN J APPL PHYS，2020年
  • 30. Toward a generalized Bienenstock-Cooper-Munro rule for spatiotemporal learning via triplet-STDP in memristive devices，Nature Communications，2020年
  • 31. Photoassisted Electroforming Method for Reliable Low-Power Organic-Inorganic Perovskite Memristors，ADV FUNCT MATER，2020年
  • 32. Moisture-powered memristor with interfacial oxygen migration for power-free reading of multiple memory states，NANO ENERGY，2020年
  • 33. Analytical modeling of electrochemical metallization memory device with dual-layer structure of Ag/AgInSbTe/amorphous C/Pt，SEMICOND SCI TECH，2020年
  • 34. Resistive switching performance improvement of amorphous carbon-based electrochemical metallization memory via current stressing，APPL PHYS LETT，2019年
  • 35. Memristors with organic-inorganic halide perovskites，InfoMat，2019年
  • 36. Analog-Digital Hybrid Memristive Devices for Image Pattern Recognition with Tunable Learning Accuracy and Speed，Small Methods，2019年
  • 37. Biodegradable Natural Pectin-Based Flexible Multilevel Resistive Switching Memory for Transient Electronics，SMALL，2019年
  • 38. Multilevel Resistive Switching in P-N Heterostructure Memory，J NANOSCI NANOTECHNO，2019年
  • 39. Insertion of Nanoscale AgInSbTe Layer between the Ag Electrode and the CH3NH3PbI3 Electrolyte Layer Enabling Enhanced Multilevel Memory，ACS Applied Nano Materials，2019年
  • 40. Cycling-Induced Degradation of Organic-Inorganic Perovskite-Based Resistive Switching Memory，ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES，2019年
  • 41. Intensity-modulated LED achieved through integrating p-GaN/n-ZnO heterojunction with multilevel RRAM，APPL PHYS LETT，2018年
  • 42. Transferable and Flexible Artificial Memristive Synapse Based on WOx Schottky Junction on Arbitrary Substrates，ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS，2018年
  • 43. Electric-Field-Triggered Electromagnetic Polarizations in the Close-Packed Fe at C Nanocapsules，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，2018年
  • 44. Ultralight and ultraelastic sponge/Al@Al2O3 nanocomposite with tunable electromagnetic properties，J APPL PHYS，2018年
  • 45. The Nature of Lithium-Ion Transport in Low Power Consumption LiFePO4 Resistive Memory with Graphite as Electrode，PHYS STATUS SOLIDI-R，2018年
  • 46. Graphite Microislands Prepared for Reliability Improvement of Amorphous Carbon Based Resistive Switching Memory，PHYS STATUS SOLIDI-R，2018年
  • 47. Highly uniform switching of HfO2-x based RRAM achieved through Ar plasma treatment for low power and multilevel storage，APPL SURF SCI，2018年
  • 48. Photocatalytic Reduction of Graphene Oxide-TiO2 Nanocomposites for Improving Resistive-Switching Memory Behaviors，SMALL，2018年
  • 49. Reversible alternation between bipolar and unipolar resistive switching in Ag/MoS2/Au structure for multilevel flexible memory，JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C，2018年
  • 50. Complementary resistive switching observed in graphene oxide-based memory device，IEEE ELECTR DEVICE L，2018年
  • 51. Analytical Modeling of Organic-Inorganic CH3NH3PbI3 Perovskite Resistive Switching and its Application for Neuromorphic Recognition，Advanced Theory and Simulations，2018年
  • 52. Oxidized carbon quantum dot-graphene oxide nanocomposites for improving data retention of resistive switching memory，JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C，2018年
  • 53. Improved switching reliability achieved in HfOx based RRAM with mountain-like surface-graphited carbon layer，APPL SURF SCI，2018年
  • 54. Improved performance of Ta2O5-x resistive switching memory by Gd-doping: Ultralow power operation, good data retention, and multilevel storage，APPL PHYS LETT，2017年
  • 55. Sp2 clustering-induced improvement of resistive switching uniformity in Cu/amorphous carbon/Pt electrochemical metallization memory，JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C，2017年
  • 专利：
  • 一种双极性无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法 2022-08-09
  • 一种基于晶体管和忆阻器的模拟联想学习电路及控制方法 2022-08-02
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